Touch Memory China
DS1972

DS1972 1Kbit EEPROM iButton

可重写 1Kbit EEPROM,逐页可写保护——无需电池。

1024 位 EEPROM,四个 256 位分区,经 8 字节暂存区校验写入。每页可永久写保护或置于 EPROM 模拟("写到 0")模式,有助于防误擦与篡改。无电池——从 1-Wire 线取电。与 DS2431 芯片同芯片。

订购信息

起订量按型号及订单在报价时确认
准备时间供货情况与交期按型号及订单在报价时确认
包装按所选型号确认每包数量、防护与标签要求。
样品按所选型号确认样品数量、费用及运费。
付款方式在报价及发票中确认付款条件与收款主体。
运输按目的地及订单确认运输方式、费用与时间。
定制请说明 ROM、颜色、标记及包装需求;可行性与费用需确认。
为什么选这一款

逐页自选:可改写、锁定,或一次写入

它的四个分区并非"要么全开、要么全锁"。每个 256 位分区可分别设为自由改写、永久写保护,或切换到 EPROM 模拟模式(位只能清零、不可复位)—— 一枚无电池钥匙里同时存在三种行为。于是同一器件可以同时承载:一块锁死的配置区、一个只增不减的使用计数器,以及一个可随时改写的状态字段 —— 这是纯 EEPROM 的 DS1973 与全程仅追加的 DS1982 都做不到的。

核心特性

  • 原厂 DS1972 参考:1024 位 EEPROM,分为四个 256 位存储页。
  • 原厂通过 8 字节暂存区写入;每页可设写保护或 EPROM 模拟模式。
  • 请核对主机页配置与写入流程;应用不可逆的页设置前先完成回读验证。

规格参数

芯片 / 兼容 DS1972 · family code 2Dh · chip-form DS2431
存储 1Kbit EEPROM(4 页 × 256 位)+ 8 字节暂存区
协议 1-Wire,16.3 kbit/s(Overdrive ~125 kbit/s)
封装 F3 / F5 can
工作温度 −40 至 +85 °C;2.8–5.25V —— 以原厂数据手册为准;具体供货版本请与我们确认
可选项 颜色、标记等定制选项:可行性、起订量和费用在报价时确认。

产品尺寸图

DS1972 — 产品尺寸图
尺寸为典型值,单位 mm;具体供货版本的准确尺寸请与我们确认。

钢壳内部结构

① 盖面(数据触点)② 绝缘隔环③ 1-Wire 芯片④ 底座(接地),钢Ø 16.25 mmF55.89 mmF33.10 mm同直径,两种高度
F5 封装典型尺寸:Ø16.25 × 5.89 mm · F3 封装典型尺寸:Ø16.25 × 3.10 mm

此类封装的典型结构:不锈钢外壳,绝缘隔环将盖面与底座隔开,芯片位于内部。盖面即数据触点,底座为接地回路。壁厚、隔环材质等结构细节,具体供货版本请与我们确认。

存储型 iButton 怎么选?

按存储技术分组的完整存储型产品线 —— 容量与家族码依据 Analog Devices 数据手册。

型号 家族码 容量 存储技术 选它的理由
DS1971 14h 256 位 + 64 位 OTP EEPROM — 无电池 资产标识:锁定 ID + 可改数据
DS1972 2Dh 1 Kbit(128 B) EEPROM — 无电池 逐页写保护或 EPROM 模拟模式
DS1973 23h 4 Kbit(512 B) EEPROM — 无电池 无电池可重写存储(4 Kbit);产线电子履历
DS1982 09h 1 Kbit(128 B) EPROM — 仅追加;已写数据不可擦除(以数据手册为准) 仅追加类记录,如巡更点与证书
DS1985 0Bh 16 Kbit(2 KB) EPROM — 仅追加;已写数据不可擦除(以数据手册为准) 仅追加的维保履历(16 Kbit)
DS1992 / DS1993 08h / 06h 1 Kbit / 4 Kbit NV RAM — 电池保持,擦写寿命高(以数据手册为准) 在钥匙上频繁变化的数据
DS1996 0Ch 64 Kbit(8 KB) NV RAM — 电池保持,擦写寿命高(以数据手册为准) 可携带数据库 —— 64 Kbit NV RAM
DS1994 04h 4 Kbit + 实时时钟 NV RAM + 时钟/计时器/计数器/报警 限时/限次门禁,到期设定存放在钥匙内
DS1904L 24h 无用户存储 纯实时时钟 为单片机提供实时时基
DS1991 02h 1152 位 = 3 × 384 位 安全 NV RAM — 三个密码分区 既有多方共用系统(不建议新设计)
DS1961S 33h 1 Kbit + 64 位密钥 EEPROM + SHA-1 挑战应答 身份认证:证明自己知道密钥(请针对你的系统评估克隆风险)

典型应用

常见问题

"逐页写保护或 EPROM 仿真"实际是什么意思?

四个 256 位分区可各自独立选择:保持可改写、永久锁定、或进入"位只能清零"的仿真模式——同一器件可同时承载锁死的配置区、只增计数器和可改状态字段。

存储耐久性如何?

以原厂数据手册为准:+25 °C 下 20 万次写入、+85 °C 下保存 40 年,Overdrive 通信达 125 kbit/s,并具 4 级 ESD 保护(±8 kV 接触、±15 kV 气隙)以应对恶劣电气环境。所有指标请按具体供货版本与我们确认。

它和 DS2431 是同一颗芯片吗?

以原厂数据手册为准,两者关系密切:DS1972 是 DS2431 系列器件的 iButton 形态(F3/F5 不锈钢壳),针对其中一个编写的主机软件预计也适用于另一个。具体供货版本请与我们确认,并先测试样品。